ISI的晶圓級MRAM測試儀

MRAM正在開發支持人工智能、物聯網和先進網絡技術的下一代嵌入式設備；在數據中心、邊緣和端點。此外獨立MRAM已經成為許多應用的重要非易失性緩存和緩沖區。為所有這些應用提供 MRAM 需要在生產環境中進行良好的MTJ設計和測試。Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的，為汽車、工業和軍事。云存儲等行業等提供了大量可靠優質的MRAM，STT-MRAM存儲芯片。Everspin一級代理商接下來介紹 Everspin MRAM 器件的測試。
 
ISI在MTJ器件的設計和工廠測試方面擁有長期經驗，能夠滿足MRAM的開發和生產測試需求。他們也在創造新的測試和生產工具來幫助MRAM項目取得成功。看看他們為什么應該成為MRAM測試伙伴。
 
除了用于硬盤磁頭生產測試的專業產品之外，ISI是第一家為MRAM行業制造晶圓級測試器的公司，并且可能擁有最大的STT-MRAM晶圓級測試器安裝基地。他們在硬盤磁頭行業的長期經驗使他們在MTJ測試方面擁有經驗，這是他們帶給新興的MRAM測試行業的經驗。
 
WLA3000  STT-MRAM 晶圓級分析儀，即第三代脈沖發生器，配有其專有的探針卡接口，可產生低至5納秒的可編程脈沖，在脈沖發生后，能夠在原位對多芯片組件進行超快測量。4點和2點靜脈/右心室測試儀可以提供脈沖和DC測量，最高可達平面內的3K奧斯特和垂直于平面的5K奧斯特。機器能夠在360度的視場角和高達150度的溫度下工作，帶有熱卡盤選項。即將推出的第四代系統包括對這些規格的進一步增強，包括脈沖寬度低至2nS和垂直場高達15K奧斯特
 
此外它們可以提供薄膜可靠性測試，包括擊穿電壓、耐久性和寫入概率以及讀取干擾測量，并且它們的熱鐵磁諧振(FMR)特性(使用連接到其射頻探針組件的射頻前置放大器)可以用于過程控制以及器件開發。圖1顯示了美國工業標準學會晶圓級準靜態測試儀。

 
ISI可以用EG、TEL和Accretech探測器(如上圖所示)設置測試，并且可以為幾乎任何其他探測器進行配置。他們的電子設備和測試軟件獨立于晶片探測器，他們的測試頭可以安裝在任何探測器上。一個簡單的懸臂探針卡可以用來在200或300毫米的晶片上提供多器件測試能力。
 
ISI的方法是開發他們自己的專有前端電路，在MTJs上執行脈沖和測量操作。圖2顯示了專有ISI脈沖通道的脈沖樣本，幾乎沒有過沖。
 

 
這一專有設計不僅為MRAM行業提供了特定的測試功能，而且是該行業獨有的，ISI的完全集成前端提供了極快的寫/讀循環測量，從而實現了極高的測量性能，如誤碼率。
 
圖2顯示了脈沖幅度的誤差概率。對于曲線上的每個數據點，這些測試被配置為運行105個寫/復位周期，但是整個曲線的總測試時間仍然低于3.2s。

ISI對未來的MRAM測試和其他生產工具有一個積極的路線圖。正在研發第四代ISI脈沖器模塊，并正在為下一代自旋軌道轉矩(SOT)設備開發外部脈沖器集成，以取代快速 sram 存儲器。