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GlobalFoundries(格羅方德半導體有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平臺上為物聯網和汽車應用交付了首個可投入生產的eMRAM。并表示其先進的eMRAM為低功耗，非易失性代碼和數據存儲應用提供了一種經濟高效的解決方案。
GF表示已進入生產階段，并計劃與多個客戶合作，并計劃在2020年實現多個生產磁帶。GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR閃存（eFLASH）。GF表示其eMRAM已通過了五項嚴格的實際焊錫回流測試，并在-40°C至125°C的溫度范圍內顯示了100,000個循環的耐久性和10年的數據保留。FDXeMRAM解決方案支持AEC-Q100質量2級設計，并且正在開發中，以支持明年的AEC-Q100質量1級解決方案。
與當今廣泛使用的eFlash相比，eMRAM具有許多優勢，它不涉及電荷或電流，而是使用磁存儲元件，并依賴于讀取由薄勢壘分隔的兩個鐵磁膜的磁各向異性。該方法在寫入數據之前不需要擦除周期，這意味著更高的性能。此外可以使用現代工藝技術生產MRAM，并且具有很高的耐久性。
GF現在提供定制設計套件，其中包含經過嵌入式芯片驗證的
MRAM
，范圍從4到48兆位，并提供MRAM內置自測支持選項。GF正在其位于德國德累斯頓Fab1的300毫米生產線中支持eMRAM。GF的eMRAM技術已獲得
Everspin MRAM
公司的許可。
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